產(chǎn)品資料
日本napson熱電動勢接觸式PN探測器
產(chǎn)品名稱: 日本napson熱電動勢接觸式PN探測器
產(chǎn)品型號: PN-12α
產(chǎn)品特點: 日本napson熱電動勢接觸式PN探測器樣品的導電類型（PN）通過將其與筆型探頭（熱/冷探頭集成型）接觸來確定兼容單晶硅晶片，塊和錠對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/分離類型。
日本napson熱電動勢接觸式PN探測器 的詳細介紹
日本napson熱電動勢接觸式PN探測器
熱電動勢接觸式PN探測器
產(chǎn)品名稱：PN-12α
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產(chǎn)品特點
樣品的導電類型（PN）通過將其與筆型探頭（熱/冷探頭集成型）接觸來確定
兼容單晶硅晶片，塊和錠
*對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/分離類型。
測量規(guī)格
測量對象
與半導體/太陽能電池材料有關（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
30x30mm以上
測量范圍
可用于PN測定的樣品電阻率范圍：1 m至20kΩ·cm
*不能部分確定多晶硅，帶有膜的晶片以及表面呈鏡面狀態(tài)或被氧化的樣品
熱電動勢接觸式PN探測器
產(chǎn)品名稱：PN-12α
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產(chǎn)品特點
樣品的導電類型（PN）通過將其與筆型探頭（熱/冷探頭集成型）接觸來確定
兼容單晶硅晶片，塊和錠
*對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/分離類型。
測量規(guī)格
測量對象
與半導體/太陽能電池材料有關（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
30x30mm以上
測量范圍
可用于PN測定的樣品電阻率范圍：1 m至20kΩ·cm
*不能部分確定多晶硅，帶有膜的晶片以及表面呈鏡面狀態(tài)或被氧化的樣品
日本napson熱電動勢接觸式PN探測器
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